晶圓加熱盤是半導體制造過程中的關鍵設備之一，用于對晶圓進行準確的溫度控制，以實現各種工藝要求。通常采用電阻加熱的方式，通過電流流過加熱元件(如鎳鉻合金絲)產生熱量，進而通過熱傳導和對流的方式對晶圓進行加熱。為了實現準確的溫度控制，它配有溫度傳感器(如熱電偶或電阻溫度探測器)，這些傳感器可以實時監測加熱盤表面的溫度，并將數據反饋給控制系統。控制系統根據設定的溫度和實際溫度差調整加熱功率，以達到溫度的自動控制。
 

　　一、分類：
 

　　根據不同的應用需求，晶圓加熱盤可以分為多種類型。例如，按加熱方式可分為電阻加熱、感應加熱和紅外線加熱等；按尺寸大小可分為小直徑(如2英寸、3英寸)、中直徑(如4英寸、6英寸)和大直徑(如8英寸、12英寸)等；按用途可分為用于沉積、刻蝕、離子注入、拋光等不同工藝的專用加熱盤。
 

　　二、特點：
 

　　1. 高溫均勻性：設計要求其表面溫度均勻性高，以確保整個晶圓表面的工藝一致性。
 

　　2. 快速升溫：為了提高生產效率，它需要具備快速升溫的能力，以縮短工藝時間。
 

　　3. 耐腐蝕：由于半導體制造過程中會使用多種化學物質，因此晶圓加熱盤須具備良好的耐腐蝕性。
 

　　4. 高穩定性：在長時間工作后應保持穩定的性能，不易受到外界因素的影響。
 

　　三、應用：
 

　　廣泛應用于半導體制造、集成電路封裝、光電產業等領域。在半導體制造中，用于實現各種熱處理工藝，如薄膜生長、擴散、刻蝕等。在集成電路封裝領域，用于封裝過程中的鍵合、固化等環節。此外，還在太陽能電池制造、LED生產等領域中有廣泛應用。
 

　　四、發展趨勢：
 

　　隨著半導體技術的不斷發展，晶圓加熱盤也在向更高溫度控制精度、更快速的響應時間、更大直徑和更高的效率方向發展。同時，為了降低能耗和提高生產效率，新型的加熱技術，如紅外線加熱和等離子體加熱，也在被研究和開發中。